欢迎来到我们网络资讯平台-一家专业的比特币、区块链技术网站

网站地图 | 立即注册客户端下载

当前位置：首页>科技

陈星弼(“中国功率半导体领路人”陈星弼院士在成都逝世)

日期：2024-04-24

来源：玫瑰财经网

浏览：次

新华网

新华社成都12月4日电(记者吴晓颖)记者4日从电子科技大学获悉，中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于4日17时10分在成都逝世，享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江。1952年从同济大学电机系毕业后，他先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士。

陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他一生发表学术论文200余篇，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。

陈星弼曾获得国家技术发明奖、科技进步奖等诸多荣誉，2015年获得IEEE ISPSD(国际功率半导体器件与集成电路年会)颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

友情链接:

备案号：冀ICP备17019481号

玫瑰财经网发布此信息的目的在于传播更多信息，与本站立场无关。玫瑰财经网不保证该信息（包含但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。
相关信息并未经过本网站证实，不对您构成任何投资建议，据此操作，风险自担。